区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。此外,采用连续硫化法时,如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀,则挤压后的硫化速度不一致,这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。
1:金属镀钯,镀钯铜提钯技术:首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中,再加入自配退钯溶液,数秒中后表面钯退净,取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂,钯和溶液分离
2:合金含钯,铜钯合金提钯技术:把铜钯合金放入容器中,加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体,再用自配化学试剂把钯和溶液分离。
3:废钯碳催化剂提钯,首先用物理原理把碳等有机物去除,剩下金属钯,再用化学试剂溶解金属钯,再进行下一步钯分离。
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